化學浴沉積ZnSe薄膜及其光學特性研究

化學浴沉積ZnSe薄膜及其光學特性研究

全部作者： 陳良艷 張道禮 黃川 張建兵 第1作者單位： 華中科技大學電子科學與技術系 論文摘要： ZnSe作為重要的寬禁帶Ⅱ-Ⅵ族半導體，在藍綠光發射器件、非線性光電器件、紅外器件以及薄膜太陽能電池等方面有著廣泛的應用。化學浴沉積法是1種低能耗、污染小的合成路線。本文使用3乙醇胺和水合阱等做絡合劑，選用合適的陽離子（醋酸鋅或硫酸鋅）和陰離子源(硒脲或硒帶硫酸鈉)濃度配比，沉積出均勻的ZnSe薄膜，薄膜呈淡黃色。用SGC-2型橢偏儀測得薄膜厚度約為100-140nm；通過X-射線衍射測得400℃下N2氣氛中退火的薄膜呈閃鋅礦結構，可見光范圍內的透光率可達70％以上，禁帶寬度為3.0eV左右，同塊體材料相比(2.7eV)，表現出1定的藍移。 關鍵詞： 化學浴 硒化鋅薄膜 光學特性 (瀏覽全文) 發表日期： 2006年08月25日 同行評議：

該文報道了化學浴法制備ZnSe薄膜的有關結果。盡管文章的結構合理，書寫規范，給出的實驗結果可信，但是從本質上說該工作缺乏新意。論文中提及薄膜禁帶寬度比體材料有所增加，但沒有給出合理的解釋。此外，薄膜的表面形貌和微觀結構的表征在文中沒有給出。總之，該文在實驗路線上缺乏新意，在對實驗結果的解釋上缺乏深度。

綜合評價： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見，綜合評價是綜合專家對論文各要素的評議得出的數值，以1至5顆星顯示。

【化學浴沉積ZnSe薄膜及其光學特性研究】相關文章：

硅薄膜的制備及光學性能研究03-01

摻鋁氧化鋅薄膜的光學性能研究03-07

淺談個體知識的特性及其開發管理研究03-01

試論個體知識的特性及其開發管理研究11-23

自聚焦平面微透鏡的光學特性之成像特性11-22

科技旅游資源特性及其對配置的影響研究03-28

鈦合金的特性及其應用03-01

探討鈦合金的特性及其應用03-19

高技能人才的人力資本特性及其管理策略研究03-25